schottky barrier gate field effect transistor

Intrinsic parameters are extracted from functions of MESFETs intrinsic elements by using extrinsic parameters as independent variables.

采用非本征元件的参数作为本征元件参数函数的自变量的方法 ,求解金属肖特基势垒场效应晶体管小信号等效电路模型 ,并采用相对误差来构建目标函数 。

schottky barrier gate field effect transistor

肖脱基势结型场效应晶体管

enhancement type schottky barrier fet

增强型肖特基势垒场效应晶体管

schottky gate fet

肖特基势垒栅场效应晶体管

depletion metal schottky fet

耗尽型肖特基场效应晶体管

metal schottky fet

金属肖特基栅场效应晶体管

self aligned schottky fet

自对准肖特基栅场效应晶体管

vertical junction fet

垂向结型场效应晶体管

junction gate field effect transistor

面结型栅场效应晶体管

junction gate fet

结型栅场效应晶体管

junction type field effect transistor

面结型场效应晶体管结型场效应晶体管

Schottky emitter type transistor

肖特基发射极型晶体管

n channel junction fet

n 沟道结型场效应晶体管

enhancement mode junction fet

增强型结式场效应晶体管

transistor transistor logic/advanced schottky

改进型肖特基晶体管 晶体管逻辑

advanced schottky ttl

改进型肖特基晶体管晶体管逻辑电路

normally on fet

耗尽型场效应晶体管

normally off fet

增强型场效应晶体管

unipolar field effect type transistor

单极场效应型晶体管